مايكرون حافظه‌هاي ۱۶ گيگابايتي DDR4 و LPDDR4X را با فرايند ۱۰ نانومتر مي‌سازد

يك‌شنبه ۲۷ مرداد ۱۳۹۸ - ۱۵:۳۰
مطالعه 2 دقيقه
مرجع متخصصين ايران
مايكرون به‌تازگي اعلام كرده توليد حافظه‌هاي ۱۶ گيگابايتي را با فناوري ۱۰ نانومتري نسل سوم، موسوم به 1Z نانومتر، آغاز كرده است.
تبليغات

چند روز پيش مايكرون اعلام كرد توليد انبوه تراشه‌هاي حافظه‌ي خود با ليتوگرافي ۱۰ نانومتري نسل سوم (1Z نانومتر) را آغاز كرده است. اولين رم‌هايي كه قرار است با فرايند 1Z نانومتر مايكرون توليد شوند، ۱۶ گيگابايتي و از نوع DDR4 و LPDDR4X خواهند بود و اين شركت قرار است رفته‌رفته تنوع محصولات خود را در اين بخش افزايش دهد.

نسل سوم فرايند توليد ۱۰ نانومتري مايكرون موسوم به 1Z نانومتر براي DRAMها اين امكان را به شركت مي‌دهد تراكم بيت را افزايش دهد و هم‌زمان عملكرد بيشتر و مصرف باتري كمتر را در مقايسه با نسل دوم ليتوگرافي ۱۰ نانومتر خود (1Y نانومتر) رقم بزند. به‌طور خاص، اين شركت آمريكايي مدعي است كه رم‌هاي ۱۶ گيگابايتي DDR4 آن ۴۰درصد انرژي كمتري از دو رم ۸ گيگابايتي DDR4 مصرف مي‌كنند (با فرض داشتن سرعت اجراي برابر). افزون‌براين، رم‌هاي LPDDR4X مايكرون نيز ۱۰درصد انرژي كمتري مصرف مي‌كنند. به‌لطف تراكم بيت بيشتر در فناوري 1Z نانومتر، هزينه‌ي توليد رم‌هاي با ظرفيت بالا مانند رم ۱۶ گيگابايتي مذكور براي مايكرون كاهش مي‌يابد و از اين لحاظ نيز اين نوع رم‌ها به‌صرفه‌تر هستند.

مايكرون اطلاعاتي درباره‌ي سرعت اجراي اين رم‌ها منتشر نكرده است؛ اما مي‌توان انتظار داشت حافظه‌هاي مذكور مشخصاتي مطابق با استانداردهاي JEDEC داشته باشند. اولين محصولاتي كه از حافظه‌هاي ۱۶ گيگابايتي DDR4 استفاده خواهند كردند، دسكتاپ‌ها، نوت‌بوك‌ها و ورك‌استيشن‌ها با ظرفيت بالا (مثلا ۳۲ گيگابايت) خواهند بود.

در بخش موبايل، تراشه‌هاي ۱۶ گيگابايتي LPDDR4X مايكرون سرعتي معادل ۴,۲۶۶ مگاترنسفربرثانيه خواهند داشت. به‌علاوه، مايكرون ضمن ارائه‌ي رم‌هاي LPDDR4X با حداكثر ظرفيت ۱۶ گيگابايت براي موبايل‌هاي هوشمند، تراشه‌هاي چندگانه‌ي مبتني بر UFS موسوم به uMCP4 را به‌منظور تركيب حافظه‌ي NAND و DRAM عرضه خواهد كرد. محصولات سري uMCP4 اين شركت با هدف استفاده در دستگاه‌هاي ميان‌رده، تركيب‌هايي از ۶۴ گيگابايت + ۳ گيگابايت تا ۲۵۶ گيگابايت + ۸ گيگابايت (NAND+DRAM) را شامل مي‌شوند.

مايكرون مكان توليد تراشه‌هاي ۱۶ گيگابايتي DDR4 و LPDDR4X با فناوري 1Z نانومتر را اعلام نكرده است؛ اما معمولا اين شركت آمريكايي توليد جديدترين تراشه‌هاي خود را در خط‌توليد هيروشيماي ژاپن آغاز مي‌كند. باوجوداين، گمانه‌زني‌هاي تحليل‌گران از احتمال راه‌اندازي خطوط توليد 1Z در خط‌توليد مايكرون‌مموري در تايوان در نزديكي شهر تايچونگ حكايت مي‌كند.

تبليغات
جديد‌ترين مطالب روز

هم انديشي ها

تبليغات

با چشم باز خريد كنيد
اخبار تخصصي، علمي، تكنولوژيكي، فناوري مرجع متخصصين ايران شما را براي انتخاب بهتر و خريد ارزان‌تر راهنمايي مي‌كند
ورود به بخش محصولات