سامسونگ توليد انبوه تراشه‌ حافظه‌ GDDR6 را در دستور كار دارد

سامسونگ در توليد تراشه‌ي حافظه‌ي GDDR6، گوي سبقت را از دو شركت هاينيكس و ميكرون ربوده و عنوان اولين توليد‌كننده‌ي انبوه اين نوع  تراشه‌ را به خود اختصاص داده است. تراشه‌هاي ۱۶ گيگابيتي (۲ گيگابايت) سامسونگ بر پايه‌ي معماري ۱۰ نانومتري ساخته شده‌اند و در ۱.۳۵ ولت كار مي‌كنند. تراشه‌هاي جديد داراي سرعت ۱۸ گيگابيت بر ثانيه در هر پين هستند و سرعت انتقال آن‌ها به ۷۲ گيگابايت بر ثانيه خواهد رسيد. تراشه‌هاي كنوني GDDR5 سامسونگ با سرعت ۸ گيگابيت (۱ گيگابايت)، علاوه بر  داشتن نصف ظرفيت چيپ‌هاي جديد، در ۱.۵۵ ولت و با سرعت پايين‌تر ۹ گيگابيت بر ثانيه در هر پين كار مي‌كنند. سامسونگ تلويحا در يك كنفرانس خبري قبل از برگزاري نمايشگاه CES 2018 به سرعت و قابليت اين نوع از تراشه‌ها اشاره كرده بود. با اين حال سرعت اين تراشه‌ها به‌طور قابل توجهي سريع‌تر از گفته‌هاي پيشين سامسونگ مبني بر سرعت ۱۶ گيگابيت بر ثانيه در هر پين و سرعت انتقال ۶۴ گيگابايت بر ثانيه است.

با توجه به رقابتي كه بين سامسونگ با هاينيكس و ميكرون وجود دارد، شركت هاينيكس دست‌به‌كار شد و حدود ۶ ماه پيش جزئيات تراشه‌ي جديد GDDR6 خود را منتشر كرد؛ در همين حال شركت Micron اعلام كرده است تراشه‌هاي اين شركت اوايل سال‌ جاري به توليد انبوه خواهند رسيد. در جزئياتي كه پيش‌تر توسط هاينيكس اعلام شد، اولين تراشه‌ي GDDR6 اين شركت ‌يك تراشه‌ي ۸ گيگابيتي با سرعت ۱۶ گيگابيت بر ثانيه در هر پين خواهد بود كه در ۱.۳۵ ولت كار مي‌كند و برنامه‌ي هاينيكس براي عرضه‌ي تراشه‌ي ۱۶ گيگابيتي بعد از عرضه‌ي نمونه‌ي ۸ گيگابيتي آن خواهد بود. در آن سو ميكرون هرگز درباره‌ي يك تراشه‌ي خاص جزئياتي منتشر نكرده است؛ اما پيش‌بيني‌ كرده كه تراشه‌‌هاي GDDR6 اين شركت، با سرعت ۱۲ گيگابيت بر ثانيه شروع شود (سرعتي معادل تراشه‌هاي كنوني  GDDR5X ميكرون) و در نهايت به عرضه‌ي تراشه با سرعت ۱۶ گيگابيت بر ثانيه برسند.

به‌منظور اطمينان بيشتر از تراشه‌ي جديد سامسونگ در رسيدن به سرعت‌هاي ادعا‌شده و شكست رقبا، مجبور هستيم تا زمان استفاده‌ي اين نوع از تراشه‌ روي كارت‌هاي گرافيك منتظر بمانيم.