سامسونگ توليد انبوه حافظه ۸ ترابايتي SSD را آغاز كرد

سامسونگ به تازگي خبر از آغاز توليد عمده‌ي حافظه‌ي ۸ ترابايتي SSD داده است. غول فناوري كره‌ جنوبي سال گذشته از نمونه‌ي اوليه‌ي حافظه‌هاي NF1 SSF رونمايي كرده بود. فرم فكتور جديد NF1 به توليدكنندگان امكان توليد حافظه‌هايي با ظرفيت دو برابر نسبت به انواع M.2 مي‌دهد كه بدين ترتيب به گزينه‌اي ايده‌آل براي استفاده‌‌هاي تجاري تبديل مي‌شود. 

حافظه‌هاي ذخيره‌سازي NF1 SSD بر پايه‌ي بسته‌هاي ۵۱۲ گيگابايتي متشكل از ۱۶ لايه‌ حافظه‌ي ۲۵۶ گيگابيتي V-NAND ساخته شده است. سامسونگ در اين حافظه‌هاي ذخيره‌سازي از كنترلر‌هاي فونيكس خود كه بر پايه‌ي نسل چهارم PCIe فعاليت مي‌كنند، استفاده نكرده است و از نسل سوم اين درگاه براي انتقال اطلاعات بهره مي‌برد. اقدام سامسونگ به استفاده از PCIe Gen 3 در اين حافظه را مي‌توان با عدم همراهي بسياري از پردازنده‌هاي سرور از اين فناوري، تا حد زيادي توجيه كرد.

درايو‌هاي NF1 سرعت خواندن و نوشتن ترتيبي ۳۱۰۰ و ۲۰۰۰ مگابايت بر ثانيه را به ارمغان مي‌‌آورند. در بخش دسترسي تصادفي به اطلاعات نيز اين حافظه‌ها به ترتيب قادر به دستيابي به سرعت خواندن و نوشتن ۵۰۰ و ۵۰ هزار IOPS (تعداد عمليات ورودي و خروجي در ثانيه) خواهند بود تا بدين ترتيب با حافظه‌ي ذخيره‌سازي بسيار توانمندي مواجه باشيم.

يكي از نكات قابل توجه در خصوص حافظه‌هاي جديد سامسونگ، امكان استفاده از ۷۲ عدد از آن‌ها در يك رَك 2U است كه در نهايت متخصصان بدين ترتيب به ظرفيت كلي ۵۷۶ ترابايت دست مي‌يابند. پيش‌تر تمام نمايش‌هاي سامسونگ از حافظه‌هاي NF1 SSD خود روي سرور‌هاي 1U با پردازنده‌هاي زئون اينتل انجام شده بود؛ البته امكان استفاده از اين حافظه‌ها روي سرور‌هاي جديد مجهز به پردازنده‌هاي EPYC شركت AMD نيز در دسترس خواهد بود. 

سامسونگ اميدوار است در ادامه‌ي سال جاري بتواند نسخه‌هاي حجيم‌تري از حافظه‌هاي NF1 SSD را نيز توسعه داده و به توليد برساند.