سامسونگ حافظه‌هاي HBM2E خود با پهناي باند 1.64TB/s را رونمايي كرد
سامسونگ در كنفرانس فناوري پردازنده‌هاي گرافيكي انويديا (GTC)، حافظه‌هاي پهن‌باند HBM جديدش با نام فلش‌بولت (Flashbolt) را رونمايي كرد. حافظه‌ي فلش‌بولت اولين محصول صنعتي است كه منطبق بر مشخصه‌هاي استاندارد HBM2E است. HBM2E استانداردي است كه در آن پهناي باند به‌ازاي هر پين تا ۳۳ درصد افزايش مي‌يابد و از ۲.۴ به ۳.۲ گيگابيت‌برثانيه مي‌رسد. در اين استاندارد، ظرفيت هر تراشه‌ي DRAM حداكثر ۱۶ گيگابيت (۲ گيگابايت) است كه اين ميزان دوبرابر استاندارد قبلي HBM2 است. بدين‌ترتيب هر پكيج يا استك (Stack) حافظه‌ي فلش‌بولت با پهناي باس ۱۰۲۴ بيتي و پهناي باندي تا ۴۱۰ گيگابايت‌برثانيه و ۱۶ گيگابايت گنجايش حافظه را در پيكربندي استك ۸ سطحي (8Hi) ارائه خواهد كرد.
هدف شركت سامسونگ استفاده از اين محصول در مراكز داده‌ي نسل بعد، AI/ML و كارت‌هاي گرافيك است. در اين روش، با استفاده از ۴ استك حافظه و با بهره‌مندي از يك پهناي باس حافظه‌ي درمجموع ۴۰۹۶ بيتي، حداكثر پهناي باند و ظرفيت ذخيره‌سازي ۴ استك حافظه درمجموع، برابر با رقم چشمگير ۱.۶۴ ترابايت‌برثانيه و ۶۴ گيگابايت خواهد بود.
براي مقايسه بهتر است بدانيد انويديا در رويداد GTC سال گذشته، كارت شتاب‌دهنده‌ي گرافيكي سرور Tesla V100 را به نسخه‌اي از حافظه‌ي HBM2 با ظرفيت ۳۲ گيگابايت و سرعت ۱.۷۵ گيگابيت‌برثانيه به‌روزرساني كرد. بدين‌ترتيب، پهناي باند حافظه‌ي اين كارت معادل ۹۰۰ گيگابايت‌برثانيه است.
كارت گرافيك AMD Radeon VII با فناوري ساخت ۷ نانومتري، ۴ پكيج HBM2 با سرعت انتقال داده‌‌اي معادل ۲ گيگابيت‌برثانيه دارد كه پهناي باند در آن افزون‌بر يك ترابايت‌برثانيه است.
اطلاعات مختصري از محصول فلش‌بولت ارائه شده و ولتاژ كاري يا فناوري ساخت آن همچنان مشخص نيست. سال گذشته، حافظه‌ي آكوابولت (Aquabolt) با ولتاژ كاري ۱.۲ ولت و فناوري ساخت تراشه‌ي حافظه‌ي ۲۰ نانومتري عرضه شد. البته، پهناي باس مؤثر به‌ازاي هر پكيج در هر دوِ اين حافظه‌ها ۱۰۲۴ بيت است. در جدول زير، انواع حافظه‌هاي HBM ساخت سامسونگ مقايسه شده‌اند.
Flarebolt | Aquabolt | Flashbolt | مشخصه‌ها | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
۴GB | ۸GB | ۴GB | ۸GB | ۸GB | ۱۶GB | مجموع ظرفيت هر پكيج |
۱.۶Gb/s | ۱.۶Gb/s | ۲Gb/s | ۲Gb/s | ۲.۴Gb/s | ۳.۲Gb/s | پهناي باند به‌ازاي هر پين |
۴ | ۸ | ۴ | ۸ | ۸ | ۸ | تعداد تراشه‌ها در هر استك |
۱.۲V | ۱.۲V | ۱.۳۵V | ۱.۳۵V | ۱.۲V | ؟ | ولتاژ |
۲۰۴.۸GB/s | ۲۰۴.۸GB/s | ۲۵۶GB/s | ۲۵۶GB/s | ۳۰۷.۲GB/s | ۴۱۰GB/s | پهناي باند به‌ازاي هر پكيج |
به‌طوركلي، حافظه‌هاي HBM با انباشت چند تراشه‌ي DRAM روي يكديگر و ايجاد اتصال ميان اين تراشه‌ها با استفاده از لحيم‌كاري TSV ساخته شده؛ بنابراين، توان مصرفي كمتر و توان پرينت كمتري درمقايسه‌با حافظه‌هاي DDR4 و GDDR6 دارد. تراشه‌ي HBM به‌دليل تعداد زياد پين‌ها معمولا ازطريق Interposer به Die محاسباتي متصل مي‌شود. اين سازوكار باتوجه‌به هزينه‌بربودن آن باعث مي‌شود از اين حافظه‌ها فقط در سخت‌افزارهاي سطح‌بالا استفاده شود. افزون‌براين، شركت اينتل در محصولات Stratix 10 FPGA و Kaby Lake-G از فناوري EMIB اختصاصي خود براي اتصال حافظه به FPGA يا GPU استفاده مي‌كند.
سامسونگ هنوز صحبتي درباره‌ي حجم توليد محصول حافظه‌ي جديد HBM2E نكرده؛ اما منطقي است بپنداريم اين حافظه‌هاي پهن‌باند سرانجام راه خود را به محصولات گرافيكي ۷ نانومتري نسل بعدي بازكنند.
هم انديشي ها