سامسونگ نخستين حافظه‌ رم ۱۰ نانومتري و نسل سومي DDR4 را توسعه مي‌دهد

سامسونگ، بزرگ‌ترين توليدكننده‌ي تراشه‌ي حافظه‌ در دنيا، نخستين ماژول حافظه‌ي رم پويا (DRAM) نسل سومي DDR4 با ليتوگرافي ۱۰ نانومتري (1z-nm) و ۸ گيگابيتي را توسعه داده است. خبر دستيابي به چنين موفقيتي يك هفته پس از آغاز توليد انبوه نخستين ماژول حافظه‌ي رم ۱۲ گيگابايتي LPDDR4X به‌دست كره‌اي‌ها منتشر مي‌شود.

سامسونگ در انديشه متخصصين دارد تا توليد انبوه ماژول‌هاي ۸ گيگابيتي DDR4 را از نيمه‌ي دوم سال ۲۰۱۹ آغاز كند. كره‌اي‌ها با اين ماژول نسل آتي سرورهاي سازماني و كامپيوترهاي بالارده را هدف گرفته‌اند. ماژول‌هاي ۱۰ نانومتري جديد، كوچك‌ترين فرايند توليد را در بين تمام حافظه‌ها را دارند، نسبت به نسخه‌ي پيشين موسوم به 1y-nm بالغ بر ۲۰ درصد بهره‌وري توليد را ارائه مي‌دهند و مرز راهكارهاي DRAM با عملكرد و بهره‌وري انرژي بالا را به جلوتر مي‌رانند.

ناگفته نماند كه در توليد حافظه‌هاي DRAM نسل سومي از فرايند توليد EUV استفاده نمي‌شود و بدين ترتيب مقياس‌پذيري حافظه‌هاي DRAM بيش‌ازپيش افزايش پيدا مي‌كند. براساس پيش‌بيني‌ها سامسونگ، حافظه‌‌ي نسل سومي DDR4 راه را براي نسل آتي رابط‌هاي DRAM، نظير DDR5 ،LPDDR5 و GDDR6 نيز هموار خواهد كرد. كره‌اي‌ها ماژول‌هاي جديد را تنها پس از گذشت ۱۶ ماه از آغاز توليد انبوه حافظه‌هاي ۱۰ نانومتري نسل دومي DDR4 توسعه داده‌اند.

جونگ‌-به لي، قائم‌مقام اجرايي واحد توليد DRAM در سامسونگ مي‌گويد:

تعهد ما براي پشت‌سر گذاشتن بزرگ‌ترين موانع دنياي فناوري، ما را به‌سمت نوآوري‌هاي بزرگ‌تر سوق داده است. مفتخر هستيم كه بار ديگر زمينه را براي توليد پايدار نسل آتي حافظه‌هاي رم پويا را فراهم كرده‌ايم؛ حافظه‌هايي كه عملكرد و بهره‌وري انرژي بهتر را نويد مي‌دهند.

سامسونگ به‌خوبي در حال پاسخ‌دادن به تقاضاي فزاينده‌ي بازار براي حافظه‌هاي پوياي DDR4 است. اين شركت «فعالانه با مشتريان جهاني براي ارائه‌ي مجموعه‌اي را راهكارهاي آتي حافظه همكاري خواهد كرد». كره‌اي‌ها هم‌اكنون تأييد كرده‌اند كه واحد توليد حافظه‌ي دوم خود را در پيونگتائك كره‌جنوبي تأسيس خواهند كرد.