آناليزهاي اوليه فناوري 3D XPoint خبر از برتري مطلق آن نسبت به NAND دارد
اينتل و ميكرون از زمان ارائه فناوري جديد استفاده‌شده در حافظه‌هاي 3D XPoint در آگوست ۲۰۱۵، از لو رفتن اطلاعات اين فناوري جلوگيري كرده‌اند. اما متخصصين مهندسي معكوس تك اينسايتس موفق شده‌اند با استفاده از ميكروسكوپ به جزئيات اين فناوري پي ببرند.
با توجه به عكس‌هاي با وضوح بالا كه از 3D XPoint گرفته شده، تك اينسايتس اندازه‌گيري‌هاي دقيقي از اندازه‌ي سطح مقطع تراشه و تراكم حافظه به عمل آورده است. اندازه‌ي تراشه در حافظه‌هاي ۱۲۸ گيگابايتي از نوع 3D XPoint، برابر با ۲۰۶.۵ ميلي‌متر مربع است. اين اندازه بسيار بيشتر از فلش‌هاي NAND جديد يا DRAM-ها است؛ ولي با MLC NAND دوبعدي اينتل كه از فناوري ۲۰ نانومتري استفاده مي‌كند، تفاوت چنداني ندارد. اندازه‌ي بزرگ تراشه براي اينتل و ميكرون امري عادي محسوب مي‌شود؛ چرا كه اين دو شركت هرگز با فلش‌هاي NAND به بازار موبايل وارد نشده‌اند و درنتيجه اندازه‌ي تراشه در اولويت‌هاي آن‌ها نبوده است. اين در حالي است كه شركت‌هايي مانند سامسونگ و توشيبا بايد از اندازه‌ي فيزيكي تراشه و قرارگيري صحيح آن روي دستگاه‌هاي موبايل مانند موبايل‌هاي هوشمند اطمينان حاصل كنند. (البته اين روند امسال با معرفي NAND-هاي سه‌بعدي و ۶۴ لايه توسط اينتل و ميكرون تغيير خواهد يافت.)
SSD-هاي اينتل اوپتان مدل DC P4800X از حافظه‌اي با تراكم مشابه DC P3700 بهره مي‌برد كه جايگزين پرچم‌دار SSD-هاي اينتل در خط توليد شركت خواهد شد. گرچه اندازه‌ي تراشه معيار مناسبي براي تعيين ارزش محصول به شمار مي‌رود؛ ولي فلسفه‌ي 3D XPoint اندكي با فلش‌هاي NAND (چه NAND دوبعدي قديمي و چه NAND سه‌بعدي جديد) تفاوت دارد. همچنين بالاتر بودن ۲۵ درصدي ارزش اوليه‌ي P4800X نسبت به ارزش P3700 در زمان عرضه، مي‌تواند حاكي از پرهزينه‌تر بودن فرايند ساخت 3D XPoint نسبت به NAND-هاي دوبعدي، يا پايين‌تر بودن بازده ساخت 3D XPoint و نرسيدن اين فناوري به تكامل و بلوغ باشد. البته دليل ديگر ارزش بالاي فناوري 3D XPoint مي‌تواند عدم وجود رقيبي شايسته براي SSD-هاي فوق سريع اوپتان اينتل باشد.
محاسبات تك اينسايتس نشان مي‌دهند ۹۱.۴ درصد از سطح تراشه به آرايه‌ي حافظه اختصاص يافته است. براي مقايسه، ركورد ميزان سطح اختصاص داده‌شده به حافظه در NAND-هاي سه‌بعدي ساخت اينتل و ميكرون (كه با استفاده از طراحي «CMOS زير آرايه حافظه» بخش اعظمي از پيرامون مدار را به‌جاي آن‌كه در كنار آرايه‌ي حافظه قرار دهند در زير آن قرار مي‌دهند) تنها ۸۴.۹ درصد است. همچنين بازده آرايه‌ي V-NAND سه‌بعدي و ۴۸ لايه‌ي سامسونگ برابر با ۷۰ درصد است و NAND-هاي سه‌بعدي توشيبا و SK Hynix نيز بازده مشابهي دارند. اين يعني هنگامي كه اينتل در نسل‌هاي آينده تعداد لايه‌هاي 3D XPoint را بالا ببرد، به «نسبت مقياس به ظرفيت» ايده‌آل‌تري نسبت به NAND-هاي سه‌بعدي دست خواهد يافت.
تحليل‌هاي تك اينسايتس نشان مي‌دهند كه حافظه‌هاي 3D XPoint با استفاده از فناوري ۲۰ نانومتري ساخته شده‌اند. از آنجايي كه تكنولوژي ساخت DRAM به‌تازگي به اين سطح رسيده است، مقايسه‌ي تراكم 3D XPoint با DRAM-هاي فعلي نشان‌دهنده‌ي برتري كاملا مشهود 3D XPoint است. براي مقايسه، تراكم 3D XPoint نسبت به رم‌هاي شناخته‌شده ۲۰ نانومتري، ۴.۵ برابر و نسبت به رم‌هاي DDR4 با فناوري ساخت ۱۰ الي ۲۰ نانومتري، ۳.۳ برابر است. به‌احتمال زياد اين فاصله در نسل‌هاي بعدي 3D XPoint بيش از اين نيز خواهد شد.
عناصر و ساختار حافظه‌ي 3D XPoint به‌صورت كامل آناليز نشده است؛ اما به انديشه متخصصين مي‌رسد از المان‌هاي حافظه‌ي تغيير فاز در آن استفاده شده باشد.
هم انديشي ها