Intel SSD 665p معرفي شد: حافظه سريعتر و چگالتر QLC NAND
رويداد اختصاصي محصولات ذخيرهسازي و حافظه اينتل كه در كره جنوبي برگزار شد، بيشتر بر محصولات سازماني و مراكز داده متمركز بود، اما از نسل بعدي حافظههاي SSD با نام Intel SSD 665p براي مصرفكنندگان عادي نيز رونمايي شد. اين محصول جانشين نسخهي فعلي Intel SSD 660p خواهد شد كه موفقترين درايو SSD ردهي مصرفكنندگان است كه از فناوري حافظهي فلش QLC NAND استفاده ميكند و به ازاي هر سلولِ حافظه، چهار بيت دارد. البته 665p محصولي با تغييرات عمده نسبت به نسخهي پيشين خود محسوب نميشود زيرا از همان كنترلر حافظهي Silicon Motion SM2263 چهار كانالهي نسخهي قبل بهره ميبرد، اما اينتل حافظهي اين محصول جديد را به نسل دوم حافظههاي ۹۶ لايهي سهبعدي QLC NAND ارتقاء داده است. QLC جديد همچون گذشته داراي ظرفيت ۱۰۲۴ گيگاباتي به ازاي هر تراشه است، اما اندازهي آن كمي كوچكتر شده است. با اين توضيحات، انتظار تغيير خاصي در ظرفيت يا كارايي آن نسبت به گذشته نميرود؛ مگر كمي كاهش ارزش.
اينتل براي نمايش عملكرد محصول جديد، با استفاده از نسخهي بتاي نرمافزار CrystalDiskMark ۷، نمونهي اوليه يك ترابايتي 665p (با فِرمور اوليه) را با نسخهي يك ترابايتي 660p به مقايسه گذاشت كه هردوي آنها درون لپتاپهايي كاملا يكسان از برند ايسوس نصب شده بودند كه به ترتيب نشان از ۴۰ الي ۵۰ درصد افزايش سرعت خواندن و نوشتن متوالي و ۳۰ درصد افزايش سرعت خواندن و نوشتن اتفاقي داشت.
با توجه به زمان كوتاه تست و همچنين ظرفيت نسبتا خالي درايوها، بايد گفت كه اين اعداد بيشتر نشانگر عملكرد SLC cashe است و هنوز روشن نيست كه پايينترين سرعت نوشتن QLC چقدر تغيير داشته است؛ زيرا 660p از اين لحاظ از درايوهاي TLC بسيار عقب ميافتاد. از انديشه متخصصين اعداد مربوط به تعداد عملكردهاي متوالي، اين محصول در مقايسه با آزمايشهاي ما با نسخهي پيشين 660p بهجاي ۴۰ الي ۵۰ درصد، بهبود عملكرد ۲۰ درصدي را نشان ميدهد. همچنين طبق آزمايشهاي ما، نسخهي پيشين 660p نيز به همين سرعتهاي ۱٫۷ الي ۱٫۸ گيگابايت بر ثانيه در جابهجايي دادهي متوالي با عمق صف نسبتا بالا ميرسيد؛ لذا به انديشه متخصصين ميرسد كه 665p اين عملكرد را به عمق صف ۱ برساند. با اين تفاصيل محصول جديد درايو ديگري است كه با وجود كارايي خوبي كه براي اكثر متخصصدها دارد، هنوز هم به تمام ۴ لِين (LIN) PCIe نياز ندارد.
مقايسهي اين دو درايو در كنار يكديگر نشان ميدهد، نقشهي جانمايي مدار PCB هر دو محصول اساسا يكسان است و براي مثال در نسخهي ۲ ترابايتي از يك درايو يك وجهي M.2 2280 و چهار حافظهي NAND تشكيل شده است.
اينتل هنوز از زمان عرضهي اين محصول چيزي نگفته اما حدس ميزنيم نبايد بيشتر از چندماه طول بكشد. از انديشه متخصصين ارزشي نيز بايد همچون نسخهي 660p يكي از ارزانترين درايوهاي حافظهي NVMe بازار باشد.
هم انديشي ها