اينتل نقشه‌ راه براي حافظه‌هاي optane و 3D NAND را به‌همراه محصولات جديد رونمايي كرد

در رويداد خبري مربوط به فناوري‌هاي مرتبط با حافظه و فضاي ذخيره‌سازي در شهر سئول كره جنوبي، اينتل با معرفي نقشه‌ي راه اين شركت در بخش حافظه و فضاي ذخيره‌سازي، چند محصول و فناوري جديد رونمايي كرد تا نشان دهد همچنان متعهد به ارائه‌ي نوآوري در اين بازار است. اين نوآوري‌ها شامل نسل دوم حافظه‌هاي SSD در رده‌ي سازماني و ماژول‌هاي حافظه‌ي مقاوم (Persistent) از خانواده‌ي Optane بود. در بخش 3D NAND Flash نيز شركت توانسته‌ براي نخستين بار به فناوري حافظه‌هاي ۱۴۴ لايه‌ي QLC NAND Flash (سلول چهار سطحي يا چهار بيتي) دست پيدا كند كه داراي چگالي ۱۰۲۴ گيگابايتي است. چنين دستاورد مهمي به‌معناي افزايش چگالي حافظه و كاهش ارزش در هردو بازار مراكز داده و مصرف‌كنندگان عادي است. درحال حاضر هدف تمام توليدكنندگان حافظه‌ي SSD اين است كه شركت‌ها را مجاب به جايگزيني هاردديسك‌هاي مكانيكي قديمي با SSDها كنند كه سرعت بيشتر، مصرف انرژي كمتر و نويز كمتري دارند.

تصوير گرفته شده از حافظه‌ي 3D XPoint در دو محور، توسط ميكروسكوپ الكتروني

به انديشه متخصصين مي‌رسد كه محصولات optane هنوز هم از نسل نخست فناوري حافظه‌ي 3D XPoint بهره مي‌برد و از آنجا كه اينتل به شراكت خود با شركت ميكرون در توليد اين حافظه‌ها در يوتاي آمريكا پايان داده، اخبار رسيده حاكي از توليد انبوه اين محصولات در ريو دوژانيرو يا چين است. حافظه‌هاي Optane Persistent Memory اينتل  با استفاده از  فرم‌فكتور DIMM  مي‌توانند مستقيما به كنترلر حافظه‌ي پردازنده‌ي سرور متصل بشوند. نسل اول اين محصول با اسم رمز «آپاچي پَس» با كمي تأخير در ورود هم‌زمان با پردازنده‌هاي Caskade Lake-SP معرفي شدند كه داراي ماژول‌هاي حافظه‌ي DCPM هستند. جايگزين آن‌ها ماژول‌هاي Barlow Pass  خواهند بود كه طبق برنامه در سال ۲۰۲۰ براي پردازنده‌هاي ۱۴ نانومتري كوپرليك (Cooper Lake) و پردازنده‌هاي ۱۰ نانومتري آيس‌ليك (Ice Lake) درانديشه متخصصين گرفته شده‌اند. نقشه‌ي راه اينتل همچنين خبر از حداقل دو نسل ديگر از ماژول‌هاي بدون نام DCPM براي اتصال به پردازنده‌هاي آتي Sapphire Rapids و جانشينان آن مي‌دهد. براساس اظهارات قبلي اين شركت، پردازنده‌هاي سافاير رپيدز و نسل سوم ماژول‌هاي Optane DCPM از رابط DDR5 بهره خواهند برد و در آينده‌ي نزديكتر، ماژول‌هاي فعلي Apache Pass Optane DCPM نيز به‌زودي همراه‌با پردازنده‌هاي Caskade Lake وارد بازار رده‌بالاي ورك‌استيشن خواهند شد. همچنين در يك همكاري بلندمدت با مايكروسافت، قرار است زمينه‌هاي اوليه براي همراهي از اين حافظه‌ها در نسخه‌هاي عادي ويندوز نيز فراهم بشود؛ هرچند هنوز وعده‌ي خاصي براي آوردن اين حافظه‌ها به پلتفرم‌هاي دسكتاپي براي متخصصان عادي داده نشده است.

در بخش NVMe SSD نيز اينتل خبر از ارائه‌ي نسل دوم درايوهاي سازماني Optane SSD در سال ۲۰۲۰ مي‌دهد. لذا درايو Optane SSD DC P4800X با اسم رمز ColdStream در سال ۲۰۲۰ با درايو Alder Stream جايگزين خواهد شد و اينتل وعده‌ي افزايش قابل‌توجه در عملكرد آن را مي‌دهد. هرچند آن‌ها جزئيات دقيقي در اين خصوص ارائه ندادند، اما در گرافي كه به نمايش گذاشته‌اند، ظاهرا با عملكردي دوبرابري در تعداد عمليات خواندن و نوشتن تصادفي رو‌به‌رو خواهيم بود. همچنين منطقي است كه انتظار داشته باشيم پس از آلدر استريم، جايگزين‌هاي Optane SSD ۹۰۰P و ۹۰۵P و نهايتا Optane SSD DC D4800X را نيز شاهد باشيم.

حافظه‌ي فلش ۱۴۴ لايه‌ي QLC NAND  يا حتي PLC NAND

اينتل انتظار دارد در سال ۲۰۲۰ از حافظه‌هاي ۱۴۴ لايه‌ي QLC NAND Flash در مراكز داده استفاده شود. آن‌ها كه در سال  ۲۰۱۸ نخستين بار حافظه‌هاي چهاربيتي QLC را با ۶۴ لايه‌ي 3D NAND Flash توليد و عرضه كردند، حالا در مدت دو سال مقدار لايه‌ها را به بيش از دو برابر رسانده‌اند. نخستين حافظه‌ي ۶۴ لايه‌ي مخصوص مصرف‌كنندگان عادي نيز مربوط به سري SSD 660P بود كه حالا در فصل چهارم سال ۲۰۱۹ با مدل جايگزين ۹۶ لايه‌ي SSD 665p توليد انبوه خواهد شد.

اخيرا رقبايي همچون شركت كره‌اي SK Hynix آغاز به توليد انبوه حافظه‌هاي فلش ۱۲۸ لايه‌ي 4D TLC NAND كرده‌اند و خبر از توليد نمونه‌ي ۱۷۶ لايه‌اي در آينده مي‌دهند. بنابراين مي‌توان گفت وقتي صحبت از افزايش عمودي لايه‌ها مي‌شود، دچار محدوديت‌هاي فناوري نيستيم.

اينتل توانسته است با برخي نوآوري‌ها و طراحي‌هاي جديد، همچنان از فناوري قابل اطمينان سلول‌هاي Floating Gate در حافظه‌هاي 3D NAND استفاده كند و حتي باور دارد كه اين فناوري را مي‌توان به حافظه‌هاي ۵ بيتي NAND Flash (پنج بيت در هر سلول) نيز ارتقاء داد.